面向半导体晶圆应用的复合衬底解决方案。通过CVD技术在硅(Si)或碳化硅(SiC)晶圆表面沉积金刚石层，兼具Si/SiC的半导体兼容性与金刚石材料固有的高热导特性。在保证晶圆基本属性的前提下，实现更高效的热管理性能，有效缓解高功率半导体器件的散热挑战，适配晶圆级批量加工需求。
项目 | 指标 |
晶圆尺寸 | 支持多种尺寸，可扩展至12英寸（300 mm） |
金刚石层热导率 | 800–1100 W/(m·K) |
总厚度（研磨抛光前） | 0.5–3 mm（可按应用定制） |
厚度公差（TTV *研磨抛光前） | < 20 μm |
翘曲度（Warp*研磨抛光前） | < 100 μm |
金刚石层厚度 / 表面抛光 | 可按应用需求定制 |
电学特性 | 金刚石为电绝缘体，电阻率约10¹²–10¹⁶ Ω·cm，可直接接触有源区 |
面向高功率半导体热管理应用
汽车电子与新能源功率器件
晶圆级热管理与集成式散热封装
高功率LED、激光二极管
高功率射频与计算芯片场景
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